При создании контактов к наноструктурам менее 100 нм используются литографические методы, в частности электронно-лучевая литография и литография фокусированным ионным пучком с применением электронно-чувствительного резиста. Литография фокусированным ионным пучком характеризуется большей чувствительностью к резисту, высоким значением обратного рассеяния и эффектом близости, наилучшим отношением быстродействия и контрастности к минимальным размерам экспонируемых элементов по сравнению с электронно-лучевой литографией. В работе описана методика экспонирования фокусированным ионным пучком ультратонкого резиста. Определена зависимость толщины электронно-чувствительного резиста от степени его разбавления толуолом. Показано, что утонение электронно-чувствительного резиста на основе α-хлорметакрилата с α-метилстиролом до 30 нм позволяет формировать металлические контакты с зазором 500 нм на протяжении 30 мкм. Получены кремниевые наноструктуры в металлическом субмикронном зазоре на диэлектрической подложке. Геометрия полученных наноструктур исследована методами оптической, электронной, ионной и зондовой микроскопии. Установлено, что дополнительные знаки совмещения при создании наноразмерных полевых транзисторов на основе кремниевых наноструктур можно не использовать. Благодарности : автор выражает благодарность профессору В.К. Неволину за полезные рекомендации. Acknowledgments : the author expresses gratitude to Professor V.K. Nevolin for useful recommendations.
1. Razali W.R.W., Rashid N.N.M., Hosman N.K., Aid S.R. Surface patterning of silicon and germanium using focused ion beam for the development of FinFET structure // 2019 IEEE Re-gional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM). Pahang: IEEE, 2019. P. 116–118. DOI: https://doi.org/10.1109/RSM46715.2019.8943520
2. Nanoscale structural damage due to focused ion beam milling of silicon with Ga ions / E. Salvati, L.R. Brandt, C. Papadaki et al. // Materials Letters. 2018. Vol. 213. P. 346–349. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2017.11.043
3. Priya A., Rai S., Mishra R.A. Comparative analysis of junctionless bulk and SOI/SON FinFET // 2017 4th International Conference on Power, Control & Embedded Systems (ICPCES). Allahabad: IEEE, 2017. P. 1–4. DOI: https://doi.org/10.1109/ICPCES.2017.8117647
4. Kaur G., Gill S.S., Rattan M. Design and performance analysis of 20nm 5-fin SOI FinFET for different channel materials // 2017 International Conference on Computing, Com-munication and Automation (ICCCA). Greater Noida: IEEE, 2017. P. 1569–1572. DOI: https://doi.org/10.1109/CCAA.2017.8230053
5. Leonhardt A., Puydinger dos Santos M.V., Diniz J.A., Manera L.T. Ga+ focused ion beam lithography as a viable alternative for multiple fin field effect transistor prototyping // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2016. Vol. 34. Iss. 6. P. 06KA03. DOI: https://doi.org/10.1116/1.4963879
6. A high aspect ratio silicon-fin FinFET fabricated upon SOI wafer / Y.G. Liaw, W.-Sh. Liao, M.-Ch. Wang et al. // Solid-State Electronics. 2016. Vol. 126. P. 46–50. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.09.017
7. Silicon-based nanostructures formed by plasma etching through a mask formed by a fo-cused beam of Ga+ ions / I.I. Bobrinetskii, A.V. Volkova, A.A. Zaitsev et al. // Russian Microe-lectronics. 2015. Vol. 44. Iss. 7. P. 482–486. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739715070045
8. Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Tsarik K.A., Chudinov A.A. A distribution of Ga+ ions in a silicon substrate for nano-dimensional masking // Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43. Iss. 1. P. 15–20. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739713060036