Персоналии

При создании контактов к наноструктурам менее 100 нм используются литографические методы, в частности электронно-лучевая литография и литография фокусированным ионным пучком с применением электронно-чувствительного резиста. Литография фокусированным ионным пучком характеризуется большей чувствительностью к резисту, высоким значением обратного рассеяния и эффектом близости, наилучшим отношением быстродействия и контрастности к минимальным размерам экспонируемых элементов по сравнению с электронно-лучевой литографией. В работе описана методика экспонирования фокусированным ионным пучком ультратонкого резиста. Определена зависимость толщины электронно-чувствительного резиста от степени его разбавления толуолом. Показано, что утонение электронно-чувствительного резиста на основе α-хлорметакрилата с α-метилстиролом до 30 нм позволяет формировать металлические контакты с зазором 500 нм на протяжении 30 мкм. Получены кремниевые наноструктуры в металлическом субмикронном зазоре на диэлектрической подложке. Геометрия полученных наноструктур исследована методами оптической, электронной, ионной и зондовой микроскопии. Установлено, что дополнительные знаки совмещения при создании наноразмерных полевых транзисторов на основе кремниевых наноструктур можно не использовать. Благодарности : автор выражает благодарность профессору В.К. Неволину за полезные рекомендации. Acknowledgments : the author expresses gratitude to Professor V.K. Nevolin for useful recommendations.

• Просмотров: 493 | Комментариев : 0

Структуры на основе подвешенного графена - перспективные элементы для задач электроники, фотоники и сенсорики вследствие возможности устранения ловушечных состояний в подложке, повышения быстродействия и чувствительности графенового слоя. Также актуально развитие методик внедрения углеродных наноструктур в кремниевую технологию создания устройств микро- и наноэлектроники. В работе представлены особенности формирования кремниевой мембраны и сквозных пор в ней, а также осаждения графена на кремниевые мембраны. Получены спектры комбинационного рассеяния света подвешенного графена, показывающие сдвиги G-пика на 4,5 см и 2D-пика на 7,5 см относительно пиков графена, находящегося на кремнии. С помощью кривых подвода и отвода зонда атомно-силового микроскопа исследован возможный прогиб графена в сквозное отверстие, показывающий расстояния, на которых расположены притягивающие и отталкивающие силы в системе зонд - подвешенный графен. Установлено, что ввиду значительного провисания графена на 1 мкм при диаметре поры 5 мкм фокусировка лазера затруднена. Это в первую очередь влияет на использование структур подвешенного графена в качестве основы для газового или жидкостного сенсора различных органических соединений, а также для транзисторов.

• Просмотров: 493 | Комментариев : 0

Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. Исследован технологический маршрут ионно-лучевой литографии с применением многослойных резистов. Отработана технология создания непрерывной сетки заземленных знаков совмещения поверх чувствительного к ионам резиста для визуализации знаков совмещения на диэлектрической подложке методом ионной микроскопии.

• Просмотров: 1536 | Комментариев : 0

Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучком ионов галлия, ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al и Si, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей. Показана возможность полировки ионным пучком поверхности AlGaN до уровня шероховатости 0,5-0,7 нм.

• Просмотров: 260 | Комментариев : 0