Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучком ионов галлия, ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al и Si, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей. Показана возможность полировки ионным пучком поверхности AlGaN до уровня шероховатости 0,5-0,7 нм.
-
Опубликовано в разделе:
Нанотехнологии
-
Библиографическая ссылка:
-
Источник финансирования:
Работа выполнена при финансовой поддержке Федерального агентства по науке и инновациям (госконтракты № 02.523.12.3013 и № 02.513.11.3152).
1. Грибков В.А., Григорьев Ф.И., Калин Б.А., Якушип В.Л. Перспективные радиационнопучковые технологии обработки материалов. -М.: Издательский дом Круглый стою), 2001. - 527 с.
2. Campbell С. Surface Acoustic Wave Devices for Mobile апd Wireless Commuпicatioпs. - Sап Diego: Academic Press, 1998, СА.
3. Velocity dispersion in GaN-based surface acoustic wave filters on (0001) sapphire substrates / N. Sltigekawa, K. Nisimura, Н. Yokoyama et al. // IEICE Electroпics Express. - 2005. - Vol. 2, N 19. - Р. 495-500.