Персоналии

Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучком ионов галлия, ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al и Si, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей. Показана возможность полировки ионным пучком поверхности AlGaN до уровня шероховатости 0,5-0,7 нм.

• Просмотров: 260 | Комментариев : 0