Персоналии

Представлены результаты экспериментального исследования фотодиодных структур Ni-n-n+-In, изготовленных из низкоомного кристалла ZnS:AI (n-область). Высокоомный компенсированный n-слой получен термодиффузией серебра. Фотодиоды обладают инжекционным усилением фототока при прямом смещении 1–10 В. Выявлены закономерности изменения токов через диоды от толщины n-слоя в темноте и при УФ-освещении. Фоточувствительность максимальна в области собственного поглощения в узкой спектральной полосе.

• Просмотров: 315 | Комментариев : 0

Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучком ионов галлия, ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al и Si, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей. Показана возможность полировки ионным пучком поверхности AlGaN до уровня шероховатости 0,5-0,7 нм.

• Просмотров: 260 | Комментариев : 0

В основе бесконтактного емкостного метода лежит действие электродинамических сил между кантилевером и образцом. В настоящей работе показано, что методика емкостной микроскопии может быть использована при исследовании объектов, содержащих в объеме фазы с различными электрическими свойствами.

• Просмотров: 354 | Комментариев : 0