Main active elements in the frequency range from a few to a hundred gigahertz still are field-effect transistors with Schottky barrier based on gallium arsenide, other AB compounds and various heterostructures based on them. For optoelectronics, gallium phosphide and its compounds are of high importance. As a rule, these heterostructures are obtained by vapor phase methods, the use of which requires correct data on volatile components vapor composition. In this work, arsenic and phosphor vapor composition was studied by tensimetric static method. A mathematical model for processing of experimental results was built. Data on superheated arsenic vapor pressure were obtained using quartz gauge membrane in the range of temperature 973-1173 K and pressure 1,3∙10-1,9∙10 Pa. The calculations have found that arsenic and phosphor vapor mainly consist of two- and four-atomic molecules. Using best documented reference data on As, As, P and P enthalpies and entropies, corresponding thermodynamic values have been determined for As: = (178,90 ± 3,77) kJ/mol, = (227,17 ± 5,44) J/(mol·K); and for P: = (229,01 ± 3,55) kJ/mol, = (156,16 ± 0,83) J/(mol·K).
1. Расчет упругонапряженной гетероструктуры AlxGayIn1–x–y As/InP c квантовыми яма-ми для эффективных лазерных излучателей / В.Н. Светогоров, Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк и др. // Российский технологический журнал. 2018. Т. 6. № 2 (22). С. 46–55.
2. Тонкие пленки бинарных халькогенидов As2X3 (X = S, Se), полученные методом спин-коатинга / Тхи Ханг Нгуен, Е.В. Текшина, П.И. Лазаренко и др. // Российский тех-нологический журнал. 2017. Т. 5. № 3 (17). С. 51–57.
3. Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure / D.S. Andreev, K.O. Boltar, P.V. Vlasov et al. // Journal of Communica-tions Technology and Electronics. 2016. Vol. 61. Iss. 10. P. 1220–1225. DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226916100028
4. Performance evaluation of multi-junction solar cells by spatially resolved electrolumines-cence microscopy / L. Kong, Z. Wu, S. Chen et al. // Nanoscale Research Letters. 2015. Vol. 10. Art. No. 40. DOI: https://doi.org/10.1186/s11671-014-0719-9
5. Белкин М.Е., Кудж С.А., Сигов А.С. Новые принципы построения радиоэлектрон-ной аппаратуры СВЧ-диапазона с использованием радиофотонной технологии // Россий-ский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 1 (10). С. 4–20.
6. Казакова А.Е. Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на под-ложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента: дис. … канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 2018. 122 с.
7. Synthesis and properties of InxAlyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs heterostructures / D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina et al. // Inorganic Materials. 2017. Vol. 53. No. 12. P. 1217–1227. DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517120019
8. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1–x AsyP1–y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения / И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова и др. // Неорганические материалы. 2014. Т. 50. № 3. Ст. № 237. С. 1–7. DOI: https://doi.org/10.7868/S0002337X14020171
9. Чеботарёв С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Ирха В.А. Закономерности ионно-лучевой кристаллизации и свойства полупроводниковых наногетероструктур InAs-QD/GaAs(001) // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 7-8. С. 51–57.
10. Панютин Е.А. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпи-таксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства: дис. … канд. физ.-мат. наук. СПб., 2009. 132 с.
11. Baranov A.I., Gudovskikh A.S., Nikitina E.V., Egorov A.Yu. Photoelectric properties of solar cells based on GaPNAs/GaP heterostructures // Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. Iss. 12. P. 1117–1120. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013120171