<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2021-26-5-347-352</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.315.592:[072:51]:621.383</article-id><article-categories><subj-group><subject>Mатериалы электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Tensimetric Studies of Arsenic and Phosphor Vapor Composition</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Тензиметрические исследования состава пара мышьяка и фосфора</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Вигдорович Евгений Наумович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Вигдорович</surname><given-names>Евгений Наумович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vigdorovich</surname><given-names>Evgeny N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Evgeny N. Vigdorovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">МИРЭА – Российский технологический университет, г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>347</fpage><lpage>352</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/5-_2021/tenzimetricheskie_issledovaniya_sostava_para_myshyaka_i_fosfora/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Main active elements in the frequency range from a few to a hundred gigahertz still are field-effect transistors with Schottky barrier based on gallium arsenide, other AB compounds and various heterostructures based on them. For optoelectronics, gallium phosphide and its compounds are of high importance. As a rule, these heterostructures are obtained by vapor phase methods, the use of which requires correct data on volatile components vapor composition. In this work, arsenic and phosphor vapor composition was studied by tensimetric static method. A mathematical model for processing of experimental results was built. Data on superheated arsenic vapor pressure were obtained using quartz gauge membrane in the range of temperature 973-1173 K and pressure 1,3∙10-1,9∙10 Pa. The calculations have found that arsenic and phosphor vapor mainly consist of two- and four-atomic molecules. Using best documented reference data on As, As, P and P enthalpies and entropies, corresponding thermodynamic values have been determined for As: = (178,90 ± 3,77) kJ/mol, = (227,17 ± 5,44) J/(mol·K); and for P: = (229,01 ± 3,55) kJ/mol, = (156,16 ± 0,83) J/(mol·K).</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Основными активными элементами в диапазоне частот от единиц до сотен гигагерц остаются полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия, других соединениях АВ и различных гетероструктурах на их основе. Для оптоэлектроники большое значение приобрел фосфид галлия и его соединения. Получение этих гетероструктур осуществляется, как правило, газофазными методами, при реализации которых необходимо знание состава пара их летучих компонентов. В работе тензиметрическим статическим методом исследован состав пара мышьяка и фосфора. Создана математическая модель для обработки экспериментальных результатов. Данные по давлению ненасыщенного пара мышьяка получены с помощью кварцевого мембранного манометра в интервале температур 973-1173 К и давлении 1,3∙10-1,9∙10 Па. В результате расчета показано, что пар мышьяка и фосфора состоит в основном из двух- и четырехатомных молекул. С применением наиболее достоверных справочных данных по энтальпии и энтропии As, As, P и P определены соответствующе термодинамические значения для As: = &amp;#40;178,90 ± 3,77&amp;#41; кДж/моль; = &amp;#40;227,17 ± 5,44&amp;#41; Дж/&amp;#40;моль·К&amp;#41; и для P: = &amp;#40;229,01 ± 3,55&amp;#41; кДж/моль; = &amp;#40;156,16 ± 0,83&amp;#41; Дж/&amp;#40;моль·К&amp;#41;.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>мышьяк</kwd><kwd>фосфор</kwd><kwd>состав пара</kwd><kwd>арсенид галлия</kwd><kwd>фосфид галлия</kwd><kwd>константа равновесия</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Расчет упругонапряженной гетероструктуры AlxGayIn1–x–y As/InP c квантовыми яма-ми для эффективных лазерных излучателей / В.Н. Светогоров, Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк и др. // Российский технологический журнал. 2018. Т. 6. № 2 (22). С. 46–55.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Тонкие пленки бинарных халькогенидов As2X3 (X = S, Se), полученные методом спин-коатинга / Тхи Ханг Нгуен, Е.В. Текшина, П.И. Лазаренко и др. // Российский тех-нологический журнал. 2017. Т. 5. № 3 (17). С. 51–57.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure / D.S. Andreev, K.O. Boltar, P.V. Vlasov et al. // Journal of Communica-tions Technology and Electronics. 2016. Vol. 61. Iss. 10. P. 1220–1225. DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226916100028</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Performance evaluation of multi-junction solar cells by spatially resolved electrolumines-cence microscopy / L. Kong, Z. Wu, S. Chen et al. // Nanoscale Research Letters. 2015. Vol. 10. Art. No. 40. DOI: https://doi.org/10.1186/s11671-014-0719-9</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Белкин М.Е., Кудж С.А., Сигов А.С. Новые принципы построения радиоэлектрон-ной аппаратуры СВЧ-диапазона с использованием радиофотонной технологии // Россий-ский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 1 (10). С. 4–20.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Казакова А.Е. Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на под-ложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента: дис. … канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 2018. 122 с.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Synthesis and properties of InxAlyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs heterostructures / D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina et al. // Inorganic Materials. 2017. Vol. 53. No. 12. P. 1217–1227. DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517120019</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Формирование массивов квантовых точек GaxIn1–x AsyP1–y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения / И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова и др. // Неорганические материалы. 2014. Т. 50. № 3. Ст. № 237. С. 1–7. DOI: https://doi.org/10.7868/S0002337X14020171</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Чеботарёв С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Ирха В.А. Закономерности ионно-лучевой кристаллизации и свойства полупроводниковых наногетероструктур InAs-QD/GaAs(001) // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 7-8. С. 51–57.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Панютин Е.А. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпи-таксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства: дис. … канд. физ.-мат. наук. СПб., 2009. 132 с.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Baranov A.I., Gudovskikh A.S., Nikitina E.V., Egorov A.Yu. Photoelectric properties of solar cells based on GaPNAs/GaP heterostructures // Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. Iss. 12. P. 1117–1120. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013120171</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
