Известия высших учебных заведений. Электроника home

Том 25 №6

Содержание

Свернуть

Задать фильтры

Технологические процессы и маршруты

Анализ эпитаксии карбида кремния из газовой фазы как базового процесса в технологии силовой электроники. Обзор

Авторы: Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Решанов С.А.

483 - 496

Метод и реализация высокоэффективной диагностики формы электронного зонда растрового электронного микроскопа

Авторы: Силаев И.В., Гончаров И.Н., Магкоев Т.Т., Радченко Т.И.

497 - 504

Исследование влияния технологических факторов на характеристики гибких безадгезивных фольгированных диэлектриков

Авторы: Воробьев А.В., Жора В.Д., Плис Н.И., Тимошенков С.П.

505 - 516

Элементы интегральной электроники

Анализ механизмов деградации подзатворных диэлектриков на основе SiO в МОП-транзисторах

Авторы: Елисеева Д.А., Сафонов С.О.

517 - 524

Схемотехника и проектирование

Методы анализа выполнимости булевых формул для современных задач систем автоматизации проектирования в микроэлектронике

Авторы: Заплетина М.А., Жуков Д.В., Гаврилов С.В.

525 - 538

Микро- и наносистемная техника

Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе

Авторы: Амеличев В.В., Генералов С.С., Николаева А.В., Поломошнов С.А., Ковалев В.А., Ковалев А.М., Кривецкий В.В.

539 - 547

Информационно-коммуникационные технологии

Методика формирования тестовых последовательностей на основе графовой модели иерархии кеш-памяти

Авторы: Гаращенко, Гагарина Л.Г.

548 - 557

Краткие сообщения

Метод проектирования широкополосного формирователя квадратурных сигналов

Авторы: Чаплыгин Ю.А., Лосев В.В., Калёнов А.Д.

558 - 562

Влияние внешнего излучения на емкостные и токовые характеристики излучающих структур

Авторы: Урумов В.В.

563 - 567

Релаксация глубоких центров в транзисторах и интегральных микросхемах

Авторы: Крылов В.П., Богачев А.М.

568 - 572

свежий выпуск

Том 26 №3-4

Информационная поддержка

Выход журнала в 2021 году

№ 1.
Выход в свет: февраль
№ 2.
Выход в свет: апрель

№ 3-4
Выход в свет: июль

№ 5.
Выход в свет: октябрь

№ 6.
Выход в свет: декабрь

Новости

15.09.2021 Ученые МИЭТ примут участие в российском форуме «Микроэлектроника-2021»

3–9 октября 2021 года, Алушта, Российский Форум «Микроэлектроника-2021».

Делегаты от НИУ МИЭТ станут модераторами четырех секций основной российской коммуникационной площадки по вопросам микроэлектроники – ф...

08.07.2021 Внимание!

Внимание! Внесены изменения в лицензионный договор (изменился номер доверенности Гаврилова С.А.).

14.04.2020 Редакция перешла в режим удаленной работы

В связи с профилактическими мероприятиями по нераспространению коронавирусной инфекции редакция журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника» временно перешла в режим удаленной работы.
Изменились контактные данные редакции. Все вопр...

Все события и новости