Анализ эпитаксии карбида кремния из газовой фазы как базового процесса в технологии силовой электроники. Обзор

Анализ эпитаксии карбида кремния из газовой фазы как базового процесса в технологии силовой электроники. Обзор

В настоящее время химическое осаждение из газовой фазы (Chemical Vapor Depositior, CVD) является основным методом производства высококачественных и воспроизводимых по параметрам эпитаксиальных слоев для коммерческих силовых приборов на основе карбида кремния (SiC). С учетом имеющегося у СПбГЭТУ «ЛЭТИ» опыта синтеза монокристаллического SiC проведен анализ современного состояния технологии эпитаксиального роста SiC. В работе показано, что современные CVD-реакторы позволяют реализовать процессы роста эпитаксиальных SiC-структур высокого качества со следующими параметрами: подложки диаметром до 200 мм, толщина эпитаксиальных слоев от 0,1 до 250 мкм, слои n - и p -типа проводимости с диапазоном уровней легирования 10-10 см и 10-10 см соответственно. Отмечено, что отработка технологии воспроизводимого роста эпитаксиальных слоев является индивидуальной задачей для конкретного типа реактора. Это требует детального учета технологических факторов, которые определяют достижимые параметры эпитаксиальных SiC-структур.
Алексей Валентинович Афанасьев
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Владимир Алексеевич Ильин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Виктор Викторович Лучинин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Сергей Александрович Решанов
Ascatron AB, Чиста – Стокгольм, Швеция
Поделиться