Анализ механизмов деградации подзатворных диэлектриков на основе SiO в МОП-транзисторах

Разработанные на сегодняшний день математические модели, описывающие механизм деградации подзатворного диэлектрика, позволяют определить значение времени наработки до отказа устройства в зависимости от его внутренних свойств и условий эксплуатации. Данные модели существенно снижают временные и материальные затраты на проведение тестирования и обработку больших массивов экспериментальных данных. В работе проведено исследование подзатворных диэлектриков на основе SiO в n - и p -канальных МОП-транзисторах. Выявлено, что при воздействии электрическим полем на подзатворный диэлектрик толщиной 5,3 нм деградация наиболее вероятно происходит согласно термохимической модели ( Е -модели), а толщиной 7 нм - согласно модели анодной инжекции дырок (1/ Е -модели). Рассчитаны коэффициенты и проведен анализ математических моделей, позволяющих определить срок службы подзатворных диэлектриков на основе SiO толщиной 7 нм в n - и p -канальных МОП-транзисторах и толщиной 5,3 нм в n -канальных МОП-транзисторах, при разных значениях их площади, рабочего напряжения и температуры. Данное исследование может служить методом контроля и определения качества подзатворных диэлектриков изготавливаемых МОП-транзисторов.
Дарья Андреевна Елисеева
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; ООО «НМ-Тех», г. Москва, Россия
Сергей Олегович Сафонов
ООО «НМ-Тех», г. Москва, Россия
Поделиться