Релаксация глубоких центров в транзисторах и интегральных микросхемах

Для обеспечения надежности полупроводниковой электронной компонентной базы, предназначенной для аппаратуры ответственного применения, необходимо оптимальное сочетание статистической (групповой) и физико-технологической (индивидуальной) оценок надежности. В работе в качестве перспективного средства индивидуальной отбраковки потенциально ненадежной электронной компонентной базы предложен термодинамический подход на базе методов релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках. Для транзисторов и интегральных микросхем получены зависимости амплитуды релаксации емкости от частоты следования электрических импульсов заполнения глубоких уровней, обусловленных объемными и поверхностными дефектами различной природы. Для многовыводных КМОП ИС предложены схемы двухполюсного подключения к спектрометру. Определены индивидуальные различия исследуемых образцов разных производителей, а также отдельных образцов из одной производственной партии. Показана перспективность использования методов релаксационной спектроскопии глубоких уровней в качестве средств дополнительного контроля качества полупроводниковых приборов и КМОП-микросхем как в процессе производства, так и при отбраковке изделий с потенциальными дефектами, не предусмотренными проектом инженерного дефектообразования.
Владимир Павлович Крылов
Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых
Алексей Михайлович Богачев
Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых
Поделиться