Персоналии

• Просмотров: 311 | Комментариев : 0

На сегодняшний день разработчикам электроники доступны как макромодели, так и модели транзисторного уровня полупроводниковых ИС. Однако модели, учитывающие влияние дестабилизирующих воздействий, отсутствуют в открытом доступе, поэтому задачи разработки и уточнения моделей остаются актуальными. В работе рассмотрено существование корреляционной взаимосвязи между всеми параметрами моделей ИС транзисторного уровня и предложен способ уточнения этих параметров. Проведен опыт уточнения параметров модели ИС 1564ЛЕ1 ЭП. Для упрощения задачи уточнения все параметры изменены на одинаковое относительное отклонение. Для проверки внесенного предположения проведен натурный эксперимент: измерена частота сигнала кольцевого генератора на основе 1564ЛЕ1 ЭП в температурном диапазоне. Выполнено моделирование кольцевого генератора, проведено сравнение зависимостей частоты автоколебаний от температуры, полученных в результате моделирования и эксперимента до и после уточнения параметров модели. Сопоставлены формы сигнала кольцевого генератора для исходной и уточненной моделей. Проанализированы результаты полученных зависимостей частоты автогенерации, формы сигнала до и после уточнения модели. Результаты исследования свидетельствуют о возможности использования внесенного предположения для уточнения параметров модели ИС транзисторного уровня.

• Просмотров: 403 | Комментариев : 0

Для обеспечения надежности полупроводниковой электронной компонентной базы, предназначенной для аппаратуры ответственного применения, необходимо оптимальное сочетание статистической (групповой) и физико-технологической (индивидуальной) оценок надежности. В работе в качестве перспективного средства индивидуальной отбраковки потенциально ненадежной электронной компонентной базы предложен термодинамический подход на базе методов релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках. Для транзисторов и интегральных микросхем получены зависимости амплитуды релаксации емкости от частоты следования электрических импульсов заполнения глубоких уровней, обусловленных объемными и поверхностными дефектами различной природы. Для многовыводных КМОП ИС предложены схемы двухполюсного подключения к спектрометру. Определены индивидуальные различия исследуемых образцов разных производителей, а также отдельных образцов из одной производственной партии. Показана перспективность использования методов релаксационной спектроскопии глубоких уровней в качестве средств дополнительного контроля качества полупроводниковых приборов и КМОП-микросхем как в процессе производства, так и при отбраковке изделий с потенциальными дефектами, не предусмотренными проектом инженерного дефектообразования.

• Просмотров: 698 | Комментариев : 0