Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе

Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе

Полупроводниковые датчики состава газа на основе оксидов металлов характеризуются высокой чувствительностью и быстродействием при низком энергопотреблении. Особенности технологии изготовления данных преобразователей позволяют уменьшать их габаритные размеры, открывая широкие возможности для интеграции в мобильные устройства. При производстве полупроводниковых датчиков газа важным этапом является формирование металлооксидного чувствительного слоя, в частности процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и интегральных структур. В работе представлены результаты исследования экспериментальных образцов преобразователей состава газа с пористым газочувствительным слоем. Газочувствительный слой сформирован методом струйной микропечати суспензии на основе SnO с последующим отжигом. Проведено сравнение чувствительности экспериментальных образцов преобразователей состава газа с газочувствительными слоями, сформированными из двух вариантов исходной суспензии: на основе чистого SnOи на основе SnO, легированного Cr и Nb. Получена зависимость изменения проводимости экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа от концентрации H в воздушной среде. Установлено, что газочувствительный слой на основе SnO с добавками Cr и Nb имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа за счет более высокой удельной площади поверхности и меньшей агломерации частиц.
Владимир Викторович Амеличев
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Сергей Сергеевич Генералов
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Анастасия Владимировна Николаева
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Сергей Александрович Поломошнов
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Виталий Андреевич Ковалев
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия
Алексей Михайлович Ковалев
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Валерий Владимирович Кривецкий
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия
Поделиться