Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе

Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе

Раздел находится в стадии актуализации

Полупроводниковые датчики состава газа на основе оксидов металлов характеризуются высокой чувствительностью и быстродействием при низком энергопотреблении. Особенности технологии изготовления данных преобразователей позволяют уменьшать их габаритные размеры, открывая широкие возможности для интеграции в мобильные устройства. При производстве полупроводниковых датчиков газа важным этапом является формирование металлооксидного чувствительного слоя, в частности процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и интегральных структур. В работе представлены результаты исследования экспериментальных образцов преобразователей состава газа с пористым газочувствительным слоем. Газочувствительный слой сформирован методом струйной микропечати суспензии на основе SnO с последующим отжигом. Проведено сравнение чувствительности экспериментальных образцов преобразователей состава газа с газочувствительными слоями, сформированными из двух вариантов исходной суспензии: на основе чистого SnOи на основе SnO, легированного Cr и Nb. Получена зависимость изменения проводимости экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа от концентрации H в воздушной среде. Установлено, что газочувствительный слой на основе SnO с добавками Cr и Nb имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа за счет более высокой удельной площади поверхности и меньшей агломерации частиц.
Амеличев Владимир Викторович
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Генералов Сергей Сергеевич
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Николаева Анастасия Владимировна
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Поломошнов Сергей Александрович
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Ковалев Виталий Андреевич
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия
Ковалев Алексей Михайлович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Кривецкий Валерий Владимирович
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru