Персоналии

Юрий Александрович Чаплыгин
академик РАН, доктор технических наук, профессор, президент, заведующий кафедрой интегральной электроники и микросистем Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)

Статьи автора

  • Просмотров: 1026 | Комментариев : 0

  • Просмотров: 982 | Комментариев : 0

При создании современных беспроводных систем связи широко используются СВЧ-квадратурные модуляторы и демодуляторы. Для обмена информацией без потерь и сбоев важно обеспечивать высокое качество передаваемых сигналов. Наиболее критичными и нежелательными составляющими спектра выходного сигнала СВЧ-квадратурного модулятора являются несущая частота (частота гетеродина) и паразитная боковая составляющая. В работе с помощью компьютерного моделирования выявлены методы подавления паразитных составляющих. Данные методы основаны на минимизации фазового, амплитудного, а также токового разбалансов в различных узлах схемы СВЧ-квадратурного модулятора. Для подавления используются специальные цифроаналоговые преобразователи в совокупности с полифазным фильтром на варикапах, фазосдвигающим блоком, источниками тока. Эффективность этих методов обусловлена достижением в опытных образцах значений подавления паразитных составляющих 50 дБ и более. Установлено, что для подавления паразитной боковой составляющей минимизация фазового разбаланса более эффективна, чем минимизация амплитудного разбаланса. Выявлено, что для регулирования фазового разбаланса эффективна архитектура с использованием фазосдвигающего блока. Полученные результаты могут быть полезны при проектировании высокоточных радиочастотных блоков различного назначения.

  • Просмотров: 270 | Комментариев : 0

Проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.

  • Просмотров: 969 | Комментариев : 0

Рассмотрены особенности приборно-технологического модели- рования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.

  • Просмотров: 1029 | Комментариев : 0