Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур

Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур

Раздел находится в стадии актуализации

В производстве микро- и наноэлектронных устройств для глубокого анизотропного плазменного травления кремния при формировании щелевых структур в настоящее время широко используется Bosch-процесс. Однако гребешковые неровности (скэллопы), образующиеся в процессе травления на боковой стенке формируемой структуры, могут существенно ухудшать характеристики создаваемого конечного изделия, например нанофотонных структур. В работе предложен простой и эффективный метод уменьшения высоты гребней на боковых поверхностях формируемых структур. Для достижения результата проведено исследование влияния параметров Bosch-процесса на профиль и микроморфологию стенок формируемых структур. В частности, исследовано влияние соотношения времен стадий травления и пассивации, ВЧ-мощности смещения на электроде-подложкодержателе, давления и скорости газовых потоков используемых газов на линейные размеры скэллопов. Влияние операционных параметров на геометрию скэллопов на боковых стенках структур оценено по измеренным значениям глубины и длины гребней для каждой совокупности операционных параметров. Проведенные исследования позволили разработать процесс формирования структур с уменьшенной на 65 % глубиной и на 43 % длиной гребней на их боковых поверхностях. Описываемый в работе метод сглаживания боковых стенок пригоден для широкого применения в микрообработке кремния для изделий фотоники, микро- и наноэлектроники.
Голишников Александр Анатольевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Дюжев Николай Алексеевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Парамонов Владислав Витальевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Потапенко Илья Викторович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1; НПК «Технологический центр», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7
Путря Михаил Георгиевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Сомов Никита Михайлович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1; НПК «Технологический центр», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7
Чаплыгин Юрий Александрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru