Приведены результаты исследования транспортных свойств в сканирующей электропроводящей микроскопии. Выявлена корреляция необходимого усилия прижатия проводящего кантилевера к исследуемой поверхности, обеспечивающего тесный контакт, с твердостью материала и толщиной проводящего покрытия кантилевера. Показано, что в ходе исследований при повышенных значениях разности потенциалов, с одной стороны, необходимо учитывать возможный эффект перераспределения материала проводящего покрытия с поверхности кантилевера на исследуемый образец, с другой - возможность обеспечения более высокого разрешения при исследовании топографии образца проводящим кантилевером.
1. Shevyakov V., Lemeshko S., Roschin V. Conductive SPM probes of base Ti or W refractory compounds // Nanotechnology. – 1998. – № 9. – P. 352–355.
2. Analysis of the two-dimensional-dopant profile in a 90 nm complementary metal–oxide–semiconductor technology using scanning spreading resistance microscopy / P. Eyben, D. Alvarez, M. Jurczak et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2004. – Vol. 22. – Iss. 1. – Р. 364–368.
3. Douhéret O., Bonsels S., Anand S. Determination of spatial resolution in atomic-force-microscopy-based electrical characterization techniques using quantum well structures // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2005. – Vol. 23. – Iss. 1. – Р. 61–65.
4. Villarubia J.S. Algorithms for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation. // J. Res. Natl.Inst. Stand. Technol. – 1997. – Vol. 102. – P. 425–448.
5. Peculiarities of measurements in scanning electrical-conductivity microscopy / A. Belov, S. Gavrilov, M. Nasarkin et al. // Russian Microelectronics. – 2012. – Vol. 41(7). – P. 431–436.
6. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных схем. Ч.2. – М.: Бином. Лаборатория знаний, 2009. – 422 с.
7. English A.T., Kinsbron E. Electromigration –induced failure by edge displacement in fine –line aluminium 0.5- cupper thin film conductors // J. Appl. Phys. – 1983. – Vol. 54. – C. 268–274.