1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.723Selection of Measurements Optimal Conditions in Scanning Electrical-Conductivity MicroscopyВыбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопииЛемешко Сергей Владимирович ЛемешкоСергей Владимирович VladimirovichLemeshko SergeyLemeshko Sergey VladimirovichСагунова Ирина ВладимировнаСагуноваИрина ВладимировнаSagunovaIrina V.Irina V. SagunovaЧаплыгин Юрий АлександровичЧаплыгинЮрий АлександровичChaplyginYury A.Yury A. ChaplyginШевяков Василий ИвановичШевяковВасилий ИвановичShevyakovVasily I.Vasily I. ShevyakovЗАО «Нанотехнология МДТ» (г. Москва)Национальный исследовательский университет МИЭТ, г. Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия 188194http://ivuz-e.ru/issues/2-_2015/vybor_optimalnykh_rezhimov_izmereniy_v_skaniruyushchey_elektroprovodyashchey_mikroskopii/http://ivuz-e.ru/download/2_2015_2047.pdf

The results of the studies on the scanning electrical-conductivity Transport Properties have been shown. The correlation of the required pressing force on the conductive cantilever to the surface, which provides a close contact with the test sample, with the material hardness and the thickness of the cantilever conductive coating, has been revealed. It has been shown that while investigating at higher values the potential difference on one hand, it is necessary to take into account the possible effect of the conductive coating material redistribution from the cantilever to the sample surface, on the other hand- the ability to provide the higher resolution while investigating the sample topography by conductive cantilever.

Приведены результаты исследования транспортных свойств в сканирующей электропроводящей микроскопии. Выявлена корреляция необходимого усилия прижатия проводящего кантилевера к исследуемой поверхности, обеспечивающего тесный контакт, с твердостью материала и толщиной проводящего покрытия кантилевера. Показано, что в ходе исследований при повышенных значениях разности потенциалов, с одной стороны, необходимо учитывать возможный эффект перераспределения материала проводящего покрытия с поверхности кантилевера на исследуемый образец, с другой - возможность обеспечения более высокого разрешения при исследовании топографии образца проводящим кантилевером.

сканирующая электропроводящая микроскопиякантилеверпроводимостьполупроводникинаноразмерные элементы Shevyakov V., Lemeshko S., Roschin V. Conductive SPM probes of base Ti or W refractory compounds // Nanotechnology. – 1998. – № 9. – P. 352–355.Analysis of the two-dimensional-dopant profile in a 90 nm complementary metal–oxide–semiconductor technology using scanning spreading resistance microscopy / P. Eyben, D. Alvarez, M. Jurczak et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2004. – Vol. 22. – Iss. 1. – Р. 364–368.Douhéret O., Bonsels S., Anand S. Determination of spatial resolution in atomic-force-microscopy-based electrical characterization techniques using quantum well structures // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2005. – Vol. 23. – Iss. 1. – Р. 61–65.Villarubia J.S. Algorithms for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation. // J. Res. Natl.Inst. Stand. Technol. – 1997. – Vol. 102. – P. 425–448.Peculiarities of measurements in scanning electrical-conductivity microscopy / A. Belov, S. Gavrilov, M. Nasarkin et al. // Russian Microelectronics. – 2012. – Vol. 41(7). – P. 431–436.Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных схем. Ч.2. – М.: Бином. Лаборатория знаний, 2009. – 422 с.English A.T., Kinsbron E. Electromigration –induced failure by edge displacement in fine –line aluminium 0.5- cupper thin film conductors // J. Appl. Phys. – 1983. – Vol. 54. – C. 268–274.