Рассмотрен механизм влияния примесного углерода на диффузию бора базы n-p-n кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора. Приведены зависимости электрофизических показателей структуры в зависимости от концентрации углерода. Показано, что при концентрации углерода выше 1∙10 см наблюдается уменьшение времени жизни носителей заряда в базе, что не приводит к уменьшению граничной и максимальной частот гетеропереходного биполярного транзистора, поскольку диффузия бора снижается в большей степени и определяет время пролета электронов через электронейтральную базу.
1. ITRS 2012 Update RF and Analog/Mixed-signal Technologies (FRAMS). - URL: http://www.itrs.net/Links/2012ITRS/Home2012.htm (дата обращения: 09.01.2014).
2. Julian E., Wahjudi R. Scaling model for silicon germanium heterojunction bipolar transistors // Telkomnika. – 2015. – Vol. 14. – N. 1.– P. 103–109.
3. Евдокимов В.Д. Исследование влияния вертикального масштабирования SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на его частотные характеристики методами приборно-технологического моделирования // Сб. тр. 19-й всерос. межвуз. научно-техн. конф. «Микроэлектроника и информатика-2012»: тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2012. – С. 64.
4. Carbon effect on neutral base recombination in high-speed SiGeC HBTs / B. Barbalat, T. Schwartzmann, P. Chevalier et al. // Third International SiGe Technology And Device Meeting (ISTDM). – 2006. – P. 1–2.
5. Fang T.T., Fang W.T.C., Griffin P.B., Plummer J.D. Calculation of the fractional interstitial component of boron diffusion and segregation coefficient of boron in Si0.8Ge0.2 // Applied Physics Letters.– 1996. – Vol. 68. – P. 91.
6. Тимошенков В.П., Адамов Ю.Ф., Тимошенков П.В. Оптимизация статического режима гетероструктурных биполярных транзисторов в усилительных устройствах СВЧ-диапазона // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 2015. - №3(159). – С. 19–24.