Персоналии
аспирант кафедры интегральной электроники и микросистем (ИЭМС) МИЭТ, инженер опытного производства НПК «Технологический центр» (г. Москва). Область научных интересов: технологии полупроводниковой интегральной электроники, приборы на основе гетеропереходов, СВЧ-техника, кремний-германиевые гетеропереходные биполярные транзисторы.
Статьи автора
Рассмотрен механизм влияния примесного углерода на диффузию бора базы n-p-n кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора. Приведены зависимости электрофизических показателей структуры в зависимости от концентрации углерода. Показано, что при концентрации углерода выше 1∙10 см наблюдается уменьшение времени жизни носителей заряда в базе, что не приводит к уменьшению граничной и максимальной частот гетеропереходного биполярного транзистора, поскольку диффузия бора снижается в большей степени и определяет время пролета электронов через электронейтральную базу.
- Просмотров: 1265 | Комментариев : 0