Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем

Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем

Раздел находится в стадии актуализации

Рассмотрены особенности приборно-технологического модели- рования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.
Козлов Антон Викторович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Красюков Антон Юрьевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Крупкина Татьяна Юрьевна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Чаплыгин Юрий Александрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru