Персоналии

Крупкина Татьяна Юрьевна
доктор технических наук, профессор Института интегральной электроники имени академика К. А. Валиева Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)

Статьи автора

Рассмотрены особенности проектирования параметризованных аналоговых ячеек на основе согласованных КНИ матричных элементов. Разработана методика создания таких ячеек. Приведены примеры программного кода построения параметризованных аналоговых ячеек на основе согласованных матричных элементов.

  • Просмотров: 1436 | Комментариев : 0

Быстродействующие широкополосные аналоговые интегральные схемы на основе комплементарной биполярной технологии находят широкое применение в современной аппаратуре. Быстродействие таких схем напрямую связано с граничной частотой используемых транзисторов. Рассмотрены современные подходы к разработке комплементарных биполярных технологий, обеспечивающих высокое быстродействие проектируемых интегральных схем и систем на кристалле. Средствами САПР TCAD проведено приборно-технологическое моделирование элементной базы. Разработан технологический маршрут изготовления операционного усилителя по быстродействующей комплементарной биполярной технологии с самосовмещенным эмиттерно-базовым узлом на основе двух слоев поликремния. Для обеспечения самосовмещения базового и эмиттерного слоев поликремния при изготовлении n - p - n - и p - n - p -транзисторов сформирован L -образный нитридный спейсер. Боковая изоляция компонентов выполнена узкими вертикальными щелями, облицованными окислом и нитридом кремния и заполненными поликремнием. Разработанный технологический маршрут изготовления n - p - n - и p - n - p -транзисторов на одном кристалле позволил достигнуть граничной частоты 8-10 ГГц при пробивных напряжениях коллектор - эмиттер больше 10 В. В значительной степени решена проблема комплементарности биполярных транзисторов. В дальнейшем это даст возможность создать новый класс отечественных широкополосных и быстродействующих аналого-цифровых интегральных схем и обеспечить технологическую независимость РФ.

  • Просмотров: 2842 | Комментариев : 0

При создании современных беспроводных систем связи широко используются СВЧ-квадратурные модуляторы и демодуляторы. Для обмена информацией без потерь и сбоев важно обеспечивать высокое качество передаваемых сигналов. Наиболее критичными и нежелательными составляющими спектра выходного сигнала СВЧ-квадратурного модулятора являются несущая частота (частота гетеродина) и паразитная боковая составляющая. В работе с помощью компьютерного моделирования выявлены методы подавления паразитных составляющих. Данные методы основаны на минимизации фазового, амплитудного, а также токового разбалансов в различных узлах схемы СВЧ-квадратурного модулятора. Для подавления используются специальные цифроаналоговые преобразователи в совокупности с полифазным фильтром на варикапах, фазосдвигающим блоком, источниками тока. Эффективность этих методов обусловлена достижением в опытных образцах значений подавления паразитных составляющих 50 дБ и более. Установлено, что для подавления паразитной боковой составляющей минимизация фазового разбаланса более эффективна, чем минимизация амплитудного разбаланса. Выявлено, что для регулирования фазового разбаланса эффективна архитектура с использованием фазосдвигающего блока. Полученные результаты могут быть полезны при проектировании высокоточных радиочастотных блоков различного назначения.

  • Просмотров: 730 | Комментариев : 0

Проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.

  • Просмотров: 1328 | Комментариев : 0

Рассмотрены направления развития научно-образовательных программ в области проектирования микроэлектронных устройств, подчеркнута значимость вовлечения студентов и аспирантов в научную работу в области проектирования. Исследованы проблемы проектирования библиотек стандартных элементов, предложены пути автоматизации на основе параметрических ячеек и применения методов оптимизации. Представлен прототип параметрической ячейки инвертора, выполненный в соответствии с предлагаемой теоретической базой.

  • Просмотров: 325 | Комментариев : 0

Рассмотрены особенности приборно-технологического модели- рования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.

  • Просмотров: 1394 | Комментариев : 0

Рассмотрены проблемы теплоотвода, тепловые эффекты и явления саморазогрева, возникающие при работе планарных силовых МОП-транзисторов КНИ-типа. С помощью методов приборно-технологического моделирования исследованы характеристики транзисторов и область безопасной работы. Показано, что ограничения области безопасной работы связаны в большей степени с саморазогревом структуры, чем с включением паразитного биполярного транзистора.

  • Просмотров: 417 | Комментариев : 0

Для повышения рабочего диапазона функционирования КМОП БИС, выполненных по радиационно стойкой технологии КНС, требуется повышение пробивных напряжений n -канальных МОП-транзисторов. Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n -МОП-транзисторов с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD Synopsys.

  • Просмотров: 1443 | Комментариев : 0

Рассмотрены варианты реализации схемы последовательного доступа к flash-памяти. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений. Представлен новый вариант схемы последовательного доступа к flash-памяти с улучшенными характеристиками.

  • Просмотров: 1300 | Комментариев : 0

Проведено исследование распределения электрических зарядов в окрестностях функциональных КМДП-наноэлементов методами приборно-технологического моделирования

  • Просмотров: 1233 | Комментариев : 0

Разработан метод, уменьшающий величину температурного дрейфа зонда относительно образца, работающий в совокупности с известными методами уменьшения температурного дрейфа. Метод основан на температурной стабилизации электронной системы управления и считывания данных.

  • Просмотров: 1133 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru