Для повышения рабочего диапазона функционирования КМОП БИС, выполненных по радиационно стойкой технологии КНС, требуется повышение пробивных напряжений n -канальных МОП-транзисторов. Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n -МОП-транзисторов с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD Synopsys.
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. – 2-е изд., испр. – М.: Техносфера, 2011. – 800 с.
2. Соловьев А.В. Модернизация технологического маршрута производства КМОП КНС БИС с целью повышения пробивного напряжения транзисторов // Потенциал современной науки. – 2015. – №9. – С. 20–21.
3. Афонин Н.Н., Александров О.В. Влияние окислительных сред на диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе термический диоксид кремния – кремний // ЖТФ. – 2003. – Т. 73. – № 5. – С. 57–63.