Персоналии

• Просмотров: 1377 | Комментариев : 0

Полевые датчики Холла на основе КНИ-структуры (КНИ ПДХ) характеризуются расширенными функциональными возможностями, но невысокой магниточувствительностью. Цель настоящих исследований - поиск возможностей повышения магниточувствительности таких датчиков. Представлены результаты исследования магниточувствительных характеристик КНИ ПДХ, полученные с использованием системы приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Проведено трехмерное моделирование прибора. Получены расчетные холл-затворные характеристики КНИ ПДХ, подтверждающие ранее предложенную физическую модель датчика, в соответствии с которой при определенных условиях функционирования КНИ ПДХ возникает область повышенной магниточувствительности. Исследовано влияние концентрации примеси в рабочем канале датчика на магниточувствительность. Показано, что этот параметр КНИ ПДХ при концентрации примеси фосфора в рабочем слое N  =10 см возрастает в три раза. Расширенный динамический диапазон области повышенной магниточувствительности (более 5 В) позволяет увеличить область практического применения датчика, повысив его помехоустойчивость. Полученные расчетные характеристики КНИ ПДХ соответствуют ранее опубликованным параметрам экспериментальных приборов.

• Просмотров: 2271 | Комментариев : 0

Датчики Холла широко применяются для измерения индукции магнитного поля, бесконтактного определения механических и электрических воздействий. Для многофакторного анализа приборных характеристик полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры (КНИ ПДХ) целесообразно использовать современные методы математического моделирования. Средствами приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD проведен расчет выходных и передаточных характеристик двумерной модели КНИ ПДХ. Получены двумерные распределения концентрации электронов, электрического поля и плотности тока в канале КНИ ПДХ в трех типовых режимах работы датчика - полного обеднения, неполного обеднения и обогащения. Полученные результаты хорошо совпадают с экспериментальными данными и подтверждают физическую модель КНИ ПДХ и особенности работы прибора в области неполного обеднения, при котором образуется проводящий канал в теле КНИ ПДХ. Результаты исследования позволяют детально изучать особенности функционирования КНИ ПДХ.

• Просмотров: 2283 | Комментариев : 0

Проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.

• Просмотров: 1329 | Комментариев : 0

Рассмотрены особенности приборно-технологического модели- рования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.

• Просмотров: 1395 | Комментариев : 0

Рассмотрены проблемы теплоотвода, тепловые эффекты и явления саморазогрева, возникающие при работе планарных силовых МОП-транзисторов КНИ-типа. С помощью методов приборно-технологического моделирования исследованы характеристики транзисторов и область безопасной работы. Показано, что ограничения области безопасной работы связаны в большей степени с саморазогревом структуры, чем с включением паразитного биполярного транзистора.

• Просмотров: 417 | Комментариев : 0

Планарные беспереходные МОП-транзисторы, имеющие по сравнению с традиционными приборами ряд преимуществ, формируются на основе КНИ-структуры. В процессе создания КНИ-структуры и последующих технологических операций формирования транзисторов возможно изменение толщины пленки кремния. В работе представлены результаты исследования с помощью приборно-технологического моделирования в системе TCAD влияния толщины пленки кремния КНИ-структуры на основные параметры планарных беспереходных МОП-транзисторов. Показано, что для компенсации деградации характеристик прибора при изменении толщины пленки кремния необходимо изменить концентрацию примеси в кремнии. При толщинах пленки кремния менее 45 нм для этого необходим уровень легирования пленки кремния примесью выше 10см.

• Просмотров: 1803 | Комментариев : 0