Влияние толщины пленки кремния КНИ-структуры на параметры планарного беспереходного МОП-транзистора

Влияние толщины пленки кремния КНИ-структуры на параметры планарного беспереходного МОП-транзистора

Планарные беспереходные МОП-транзисторы, имеющие по сравнению с традиционными приборами ряд преимуществ, формируются на основе КНИ-структуры. В процессе создания КНИ-структуры и последующих технологических операций формирования транзисторов возможно изменение толщины пленки кремния. В работе представлены результаты исследования с помощью приборно-технологического моделирования в системе TCAD влияния толщины пленки кремния КНИ-структуры на основные параметры планарных беспереходных МОП-транзисторов. Показано, что для компенсации деградации характеристик прибора при изменении толщины пленки кремния необходимо изменить концентрацию примеси в кремнии. При толщинах пленки кремния менее 45 нм для этого необходим уровень легирования пленки кремния примесью выше 10см.
Алексей Сергеевич Ключников
АО «НИИ молекулярной электроники», г. Москва, Россия
Антон Юрьевич Красюков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Евгения Анатольевна Артамонова
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Михаил Александрович Королев
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Дарья Игоревна Ефимова
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться