Персоналии

Проведены исследования, направленные на выявление корреляции между нестабильностью технологического процесса производства радиационно стойких ИС и их радиационной чувствительностью. Рассмотрено влияние разброса параметров толщины и проводимости приборного слоя, параметров легирования активных областей, а также параметров исходных гетероструктур на разброс радиационной чувствительности ИС.

• Просмотров: 1183 | Комментариев : 0

Описана базовая технология прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники, которая подтвердила свою высокую эффективность на всех стадиях разработки и производства. Предложены основные направления развития базовой технологии, расширяющие сферу ее применения на условия космического пространства и на изделия новых перспективных технологий.

• Просмотров: 1311 | Комментариев : 0

Приведены результаты разработки и исследований матричного фотоприемного устройства формата 320×240 элементов на основе фотодиодов из силицида платины для спектрального диапазона 3-5 мкм. Разработка выполнена целиком по КМОП-технологии. Показано, что матричное фотоприемное устройство имеет возможность регулировки времени накопления фотосигнала при фиксированной кадровой частоте и позволяет вычитать постоянную составляющую фона в выходном устройстве.

• Просмотров: 1365 | Комментариев : 0

Технология КМОП КНИ перспективна для создания широкой номенклатуры радиочастотных аналого-цифровых приемо-передающих БИС, в том числе для производства аппаратуры космического назначения. Представлены результаты проектирования и исследований радиочастотных элементов библиотеки и набора функциональных блоков для отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм. Библиотека элементов включает радиочастотные n -канальные МОП-транзисторы с частотой единичного усиления не менее 30 ГГц, МОП-варикапы, катушки индуктивности, конденсаторы, резисторы. Набор радиочастотных функциональных блоков включает усилители, генераторы, смесители, переключатели сигналов, делители частоты с рабочими частотами от 0,1 до 4 ГГц. Стойкость функциональных блоков к дозовому воздействию ионизирующего излучения составляет не менее 3·10 ед., тиристорный эффект и катастрофические отказы отсутствуют при воздействии тяжелых заряженных частиц с линейными потерями энергии до 80 МэВ·см/мг. Результаты исследований подтверждают возможность создания приемо-передающих БИС космического применения с рабочими частотами до 3 ГГц по отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм.

• Просмотров: 2143 | Комментариев : 0

Традиционные подходы к схемотехническому моделированию одиночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в КМОП СБИС, основанные на использовании двухэкспоненциальной модели импульса тока ионизационной реакции, оказываются не всегда применимыми при переходе к суб-100-нм проектным нормам. Представлен обзор основных подходов к решению двух главных задач, возникающих при схемотехническом моделировании одиночных эффектов в суб-100-нм СБИС: учет влияния электрического режима на процесс формирования импульса ионизационного отклика и учет собирания заряда с трека ТЗЧ несколькими чувствительными элементами. В качестве решения первой задачи предложены подходы, основанные на использовании кусочно-линейного задания импульса тока на основе TCAD-расчетов, сдвоенного двухэкспоненциального источника тока и источника тока, учитывающего электрический режим транзистора. Рассмотрены способы моделирования ионизационного отклика нескольких элементов от одной ТЗЧ на основе использования lookup-таблиц и аналитических моделей зависимости ионизационного отклика от места попадания частицы. Проведенный анализ современных подходов к моделированию эффектов сбоев и импульсов ионизационной помехи в КМОП-микросхемах позволяет заключить, что наиболее гибким и физически точным является подход, основанный на использовании источника тока, учитывающего электрический режим транзистора и встраиваемого в Verilog-A код исходной модели.

• Просмотров: 2142 | Комментариев : 0

Рассмотрены условия формирования и методы выявления многократных сбоев в схемах статических оперативных запоминающих устройств от воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства. Сформулированы задачи, решение которых необходимо для разработки бессбойной высоконадежной космической аппаратуры.

• Просмотров: 1322 | Комментариев : 0

Предложена модель реакции импульсного стабилизатора напряжения на воздействие поглощенной дозы и отдельных ядерных частиц космического пространства. Показано, что модель позволяет определить степень влияния дозовой деградации и ионизационной реакции параметров основных функциональных узлов на характеристики стабилизатора в целом. Результаты моделирования подтверждены в ходе экспериментов на циклотроне тяжелых ионов «У-400М» (ОИЯИ, г. Дубна).

• Просмотров: 1160 | Комментариев : 0

Рассмотрен аппаратно-программный комплекс для проведения радиационных испытаний электронной компонентной базы, который реализован на основе аппаратной платформы National Instruments и среды

• Просмотров: 1256 | Комментариев : 0