Развитие базовой технологии прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники

Раздел находится в стадии актуализации

Описана базовая технология прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники, которая подтвердила свою высокую эффективность на всех стадиях разработки и производства. Предложены основные направления развития базовой технологии, расширяющие сферу ее применения на условия космического пространства и на изделия новых перспективных технологий.
Никифоров Александр Юрьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Скоробогатов Петр Константинович
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Стриханов Михаил Николаевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Телец Виталий Арсеньевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Чумаков Александр Иннокентьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru