Персоналии

Описана базовая технология прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники, которая подтвердила свою высокую эффективность на всех стадиях разработки и производства. Предложены основные направления развития базовой технологии, расширяющие сферу ее применения на условия космического пространства и на изделия новых перспективных технологий.

• Просмотров: 1286 | Комментариев : 0

Адекватность лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов (мощности дозы) в микросхемах нарушается

• Просмотров: 1221 | Комментариев : 0

На основании численного электротеплового моделирования определены зависимости характера нагрева элементов КМОП-микросхем, выполненных по различным технологиям при воздействии одиночных импульсов напряжения, вызванных воздействием электромагнитных излучений. Показано, что зависимость уровня импульсной электрической прчности от длительности одиночных импульсов напряжения для КПОМ/КНС-микросхем слабее, чем для КМОП-микросхем объемной или эпитаксиальной технологий.

• Просмотров: 1250 | Комментариев : 0