На основании численного электротеплового моделирования определены зависимости характера нагрева элементов КМОП-микросхем, выполненных по различным технологиям при воздействии одиночных импульсов напряжения, вызванных воздействием электромагнитных излучений. Показано, что зависимость уровня импульсной электрической прчности от длительности одиночных импульсов напряжения для КПОМ/КНС-микросхем слабее, чем для КМОП-микросхем объемной или эпитаксиальной технологий.
Герасимчук Олег Анатольевич
НПЦ импульсной техники ФГУП Всероссийского научно-исследовательского института автоматики им. Н.Л. Духова (г. Москва)