На основании численного электротеплового моделирования определены зависимости характера нагрева элементов КМОП-микросхем, выполненных по различным технологиям при воздействии одиночных импульсов напряжения, вызванных воздействием электромагнитных излучений. Показано, что зависимость уровня импульсной электрической прчности от длительности одиночных импульсов напряжения для КПОМ/КНС-микросхем слабее, чем для КМОП-микросхем объемной или эпитаксиальной технологий.
- Просмотров: 1250 | Комментариев : 0