Выявление многократных сбоев в микросхемах СОЗУ от воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства

Раздел находится в стадии актуализации

Рассмотрены условия формирования и методы выявления многократных сбоев в схемах статических оперативных запоминающих устройств от воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства. Сформулированы задачи, решение которых необходимо для разработки бессбойной высоконадежной космической аппаратуры.
Боруздина Анна Борисовна
ОАО «ЭНПО «Специализированные электронные системы» (г. Москва)
Чумаков Александр Иннокентьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Уланова Анастасия Владиславовна
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Никифоров Александр Юрьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Петров Андрей Григорьевич
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru