Влияние нестабильности параметров технологического процесса изготовления КНД ИС на их радиационное поведение

Раздел находится в стадии актуализации

Проведены исследования, направленные на выявление корреляции между нестабильностью технологического процесса производства радиационно стойких ИС и их радиационной чувствительностью. Рассмотрено влияние разброса параметров толщины и проводимости приборного слоя, параметров легирования активных областей, а также параметров исходных гетероструктур на разброс радиационной чувствительности ИС.
Яшанин Игорь Борисович
ФГУП «ФНПЦ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород)
Давыдов Георгий Георгиевич
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ
Никифоров Александр Юрьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Московская Юлия Марковна
ОАО «Ангстрем» (г. Москва)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru