Исследовано влияние окислительно-восстановительных сред на образование акцепторных центров в пленках CdxHg1–xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (301). При испытаниях на долговременную стабильность необраб...
Установлены закономерности изменения ширины линии осажденного материала в зависимости от скорости перемещения координатного стола установки и энергии лазерного излучения. Определены технологические
Представлены принципы и методы моделирования термопрочности идентификационных карт. Разработаны конечно-элементные модели, представлены результаты моделирования, исследовано влияние конструктивно-
Проведено компьютерное моделирование и экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициентов пропускания фотонных кристаллов на основе микрополосковых линий при наличии нарушения их периодичности в виде изменения геометрических размеров...
Рассмотрена возможность создания объемных наноструктур для восстановления поврежденных костей и тканей, в том числе лечения врожденных пороков развития человека. Исследованы четыре типа многостенных
Рассмотрены проблемы логического и временного анализа, возникающие на этапе характеризации сложных заказных блоков КМОП СБИС. Предложена обобщенная логико-временная модель функционального блока, объединяющая в себе как логическую функцию на основе SP...
Предложена аналоговая ячейка коммутации к тестовой шине с низкой и постоянной емкостью нагрузки, широким диапазоном входных напряжений, широкой полосой пропускания и малым топологическим размером.
Рассмотрены постановка и методы решения задачи идентификации параметров функционирования сложных технических систем. Разработаны критерии, используемые в процессе решения задачи, указаны их достоинства по сравнению с широко распространенными интеграл...
Рассмотрена проблема оценки вероятностных характеристик при посимвольном приеме сигналов. Приведены аналитические выражения для вероятности ошибки на информационный бит при посимвольном приеме класса ансамблей ортогональных и симплексных сигналов.
Предложен алгоритм видеокомпрессии, основанный на иерархическом кодировании коэффициентов дискретного вейвлет-преобразования и блочной компенсации движения с перекрытием. В рамках данного алгоритма реализована трехслойная схема кодирования векторов д...
Разработан и исследован гигрометр точки росы, основанный на эффекте изменения коэффициента отражения от скола волокна. Предложена и подтверждена экспериментально модель функционирования детектора образования конденсата. Проведены экспериментальные из...
Теоретически и экспериментально исследовано прохождение лазерных импульсов через сильнорассеивающую среду, состоящую из нескольких однородных слоев. Получено аналитическое решение уравнения переноса излучения в приближении «рассеяние прямо назад» для...
Цель работы – разработка технологического процесса получения пленок нитрида бора для применения в качестве защитных покрытий различных конструкций, в том числе для изготовления
Расчет неизотермического токораспределения в приборных структурах с дефектами представляет сложную задачу. Компьютерное моделирование неизотермическоrо токораспределения в биполярном транзисторе (БТ) с симметричной структурой проведено с помо...
Девятая Международная конференция по науке и применению нанотрубок «NТО8», проходившая с 29 июня по 4 июля 2008 г. в г. Монтпелье на южном побережье Франции, собрала более 600 участников, работающих в области исследования, получения и применения нано...
25-28 июня 2008 г. в павильоне 57 ВВЦ прошла VIII Всероссийская выставка научно-технического творчества молодежи НТТМ-2008.
2 октября 2008 г. исполнилось 85 лет заслуженному деятелю науки и техники РСФСР, лауреату Государственной премии СССР, доктору технических наук, профессору кафедры управления и информатики в технических системах Московского государственного института...
Г.Я. Гуськов (1918–2002) – директор НИИ микроприборов, генеральный директор НПО «ЭЛАС», Генеральный конструктор, член-корреспондент Российской Академии Наук, доктор технических наук, профессор, Герой Социалистического Труда, лауреат Ленинской...
6 сентября 2008 r. после тяжелой болезни на 83 году ушел из жизни Виктор Иванович Мурыrин (1926–2008) – заслуженный профессор МИЭТ, лауреат Государственной премии СССР, ученый в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, соз...