Фотонные структуры и их использование для измерения параметров материалов

Раздел находится в стадии актуализации

Проведено компьютерное моделирование и экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициентов пропускания фотонных кристаллов на основе микрополосковых линий при наличии нарушения их периодичности в виде изменения геометрических размеров микрополоска и диэлектрической проницаемости подложки одного из чередующихся отрезков микрополосковой линии в диапазоне 0-20 ГГц. Получено хорошее количественное совпадение результатов расчета с экспериментом. Показана возможность использования открытых СВЧ-линий передачи - микрополосковых фотонных структур - для реализации метода измерения параметров материала образцов заданной геометрической формы и определенных размеров, выполняющих функцию неоднородности в фотонной структуре.
  • Опубликовано в разделе: Микроэлектронные приборы и системы
  • Библиографическая ссылка:
  • Источник финансирования: Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (проект № 1.4.08 № гос. регистрации 0120.0801702), гранта Президента РФ для поддержки молодых российских ученых МК-2083.2007.8 и МК-2205.2008.8).
Усанов Дмитрий Александрович
Саратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия
Скрипаль Александр Владимирович
Саратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия
Абрамов Антон Валерьевич
Саратовский государственный университет им. Н.Г.Чернышевского
Боголюбов Антон Сергеевич
Саратовский государственный университет им. Н.Г.Чернышевского
Куликов Максим Юрьевич
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru