Цель работы – разработка технологического процесса получения пленок нитрида бора для применения в качестве защитных покрытий различных конструкций, в том числе для изготовления
1. Алексейчук А.В., Батюня Л.П., Раскин А.А. Особенности технологии изготовления кантилеверов // Изв. вузов. Электроника. - 2006. - № 1. - С. 92-93.
2. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник АН СССР. - М.: Наука, 1979. - 340 с.
3. Yang Hangsheng, Wamoto Chihiro, Yoshida Тоуоnоbu. Interface engineering of cBN films deposited on silicon substrates // J. Аррl. Phys. - 2003. - Vol. 94, No. 2. - Р. 1248-1251.
4. Danielsson О., Janzen Е. Using N2 as precursor gas in 3-nitride CVP growth // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 253, No. 1-4. - Р. 26-37.
5. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. - М.: Мир. - 1986. - 411 с.
6. Батюня Л.П., Аверин А.В., Махов В.И., Соколов Е.Б. Разработка технологического процесса напыления алмазоподобных пленок для защиты элементов приборов: Сб. тр. 8 Всесоюзного совещания «Новые материалы для микроэлектроники на основе тугоплавких соединений». - Киев - Юрмала, 1992. - С. 39-41.
7. Рыжов М.В., Шарин А.Г., Батюня Л.П., Раскин А.А. Технология получения и метод измерения параметров
ВТСП пленок // Тез. докл. Всероссийской конф. «Электроника и информатика-2002». - М.: МИЭТ, 2002. - С. 19.