1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 12871816639.216:621.793.7Краткие сообщенияProduction of Boron Nitride Films by HF Magnetron Dusting MethodПолучение пленок нитрида бора методом ВЧ-магнетронного распыленияСоколов Евгений Борисович СоколовЕвгений Борисович BorisovichSokolov EvgeniySokolov Evgeniy BorisovichБатюня Людмила ПавловнаБатюняЛюдмила ПавловнаLyudmilaPavlovna BatyunyaPavlovna Batyunya LyudmilaНациональный исследовательский университет «МИЭТ»Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия8486http://ivuz-e.ru/issues/5-_2008/poluchenie_plenok_nitrida_bora_metodom_vch_magnetronnogo_raspyleniya/http://ivuz-e.ru/download/5_2008_2779.pdf

The technology of producing BN films by the magnetron dusting method has been considered. The electrophysical properties and the structure of the films have been investigated. The possibility of producing the optically transparent BN films, having the mechanically strong diamond-like structure, has been determined. The produced BN films can be recommended as the protective coatings for various designs, including, also, the multi-layer film structures used in electron devices as well as in technology of production of electronic products.

Цель работы – разработка технологического процесса получения пленок нитрида бора для применения в качестве защитных покрытий различных конструкций, в том числе для изготовления

 Алексейчук А.В., Батюня Л.П., Раскин А.А. Особенности технологии изготовления кантилеверов // Изв. вузов. Электроника. - 2006. - № 1. - С. 92-93.Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник АН СССР. - М.: Наука, 1979. - 340 с.Yang Hangsheng, Wamoto Chihiro, Yoshida Тоуоnоbu. Interface engineering of cBN films deposited on silicon substrates // J. Аррl. Phys. - 2003. - Vol. 94, No. 2. - Р. 1248-1251.Danielsson О., Janzen Е. Using N2 as precursor gas in 3-nitride CVP growth // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 253, No. 1-4. - Р. 26-37.Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. - М.: Мир. - 1986. - 411 с.Батюня Л.П., Аверин А.В., Махов В.И., Соколов Е.Б. Разработка технологического процесса напыления алмазоподобных пленок для защиты элементов приборов: Сб. тр. 8 Всесоюзного совещания «Новые материалы для микроэлектроники на основе тугоплавких соединений». - Киев - Юрмала, 1992. - С. 39-41.Рыжов М.В., Шарин А.Г., Батюня Л.П., Раскин А.А. Технология получения и метод измерения параметровВТСП пленок // Тез. докл. Всероссийской конф. «Электроника и информатика-2002». - М.: МИЭТ, 2002. - С. 19.