Исследовано влияние окислительно-восстановительных сред на образование акцепторных центров в пленках CdxHg1–xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (301). При испытаниях на долговременную стабильность необработанные пленки n-типа не изменяют свои параметры, а в обработанных пленках проводимость и подвижность носителей могут уменьшаться почти на два порядка. Показано, что при обработках на поверхности формируется источник акцепторов, которыми наиболее вероятно являются вакансии ртути.
1. Destefanis G.L. Electrical doping of HgCdTe Ьу ion implantation and heat treatment // J. Cryst. Growth. - 1998. - Vol. 86. - Р. 700-722.
2. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на альтернативных подложках / Ю.Г.Сидоров, СА.Дворецкий, В.С.Варавин и др. // ФТП. - 2001. - Т. 35, № 9. - С. 1092-1101.
3. Богобоящий В.В. Конденсированные среды и межфазные границы. - 2000. - Т. 2, № 2. - С. 132-137.