Персоналии
Статьи автора
Исследовано влияние окислительно-восстановительных сред на образование акцепторных центров в пленках CdxHg1–xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (301). При испытаниях на долговременную стабильность необработанные пленки n-типа не изменяют свои параметры, а в обработанных пленках проводимость и подвижность носителей могут уменьшаться почти на два порядка. Показано, что при обработках на поверхности формируется источник акцепторов, которыми наиболее вероятно являются вакансии ртути.
- Просмотров: 335 | Комментариев : 0