Установлены закономерности изменения ширины линии осажденного материала в зависимости от скорости перемещения координатного стола установки и энергии лазерного излучения. Определены технологические
1. Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов // Электроника. Инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.
2. Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - 1986. - № 1 - Т. 59. - С. 98.
3. White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of high-end photomasks // 21-st Annual BACUS Symposium оп Photomask Technology / Ed. G.T. Dао, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.
4. SEMI Р23 Guidelines for Programmed Defect Mask and Benchmark Procedures for Sensitivity Analysis of Mask Defect Inspection Systems. - SEMl. -1993, 1995.
5. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - С. 237.