<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="risc">12871805</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.77</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технология микроэлектроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Study on Technological Process of Removing Clear Defects on Photomask</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Исследование технологического процесса устранения прозрачных дефектов маскирующего покрытия фотошаблонов</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Овчинников Вячеслав Алексеевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Овчинников</surname><given-names>Вячеслав Алексеевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Alekseevich</surname><given-names>Ovchinnikov Vyacheslav</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Ovchinnikov Vyacheslav Alekseevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г . Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>11</fpage><lpage>17</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/5-_2008/issledovanie_tekhnologicheskogo_protsessa_ustraneniya_prozrachnykh_defektov_maskiruyushchego_pokryti/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/5_2008_2767.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>A relationship of the deposited material line width variation depending on the moving speed of the coordination stage and laser radiation energy has been determined. The technological conditions of removing clear defects have been established.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Установлены закономерности изменения ширины линии осажденного материала в зависимости от скорости перемещения координатного стола установки и энергии лазерного излучения. Определены технологические</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов // Электроника. Инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - 1986. - № 1 - Т. 59. - С. 98.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of high-end photomasks // 21-st Annual BACUS Symposium оп Photomask Technology / Ed. G.T. Dао, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">SEMI Р23 Guidelines for Programmed Defect Mask and Benchmark Procedures for Sensitivity Analysis of Mask Defect Inspection Systems. - SEMl. -1993, 1995.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - С. 237.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
