A relationship of the deposited material line width variation depending on the moving speed of the coordination stage and laser radiation energy has been determined. The technological conditions of removing clear defects have been established.
1. Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов // Электроника. Инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.
2. Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - 1986. - № 1 - Т. 59. - С. 98.
3. White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of high-end photomasks // 21-st Annual BACUS Symposium оп Photomask Technology / Ed. G.T. Dао, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.
4. SEMI Р23 Guidelines for Programmed Defect Mask and Benchmark Procedures for Sensitivity Analysis of Mask Defect Inspection Systems. - SEMl. -1993, 1995.
5. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - С. 237.