Для расчета и конструирования устройств наноэлектроники и нанофотоники, в которых используются графены и графеноподобные 2D-нано-аллотропы углерода, кремния и бинарных соединений типа АВ, большое значение имеет знание упругих характеристик и зависящи...
Метод металлостимулированной латеральной рекристаллизации является актуальной исследовательской задачей для создания ИС многоуровневой архитектуры, чувствительных элементов сенсоров, а также электронных микро- и наносистем. В работе представлен оптим...
Анизотропное травление в растворе гидроксида калия с электрохимической остановкой широко применяется при формировании тонких кремниевых мембран чувствительных элементов в различных микроэлектромеханических устройствах. Однако данные об исследовании э...
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели...
Одним из основных и наиболее трудоемких этапов проектирования в базисе реконфигурируемых систем на кристалле является размещение элементов. В работе проведен сравнительный анализ методов решения задачи размещения элементов в маршруте топологического ...
Современные аппараты механического замещения функции сердца представляют собой сложные биотехнические системы, в состав которых, помимо имплантируемых частей, входит периферия, представленная различными электронными модулями для обеспечения контроля,...
Эффективность примесей редкоземельных элементов в кремнии и проявление оптических свойств структур зависят от спектра оптически и электрически активных центров, содержащих редкоземельные элементы, их общей концентрации, а также от взаимодействия с не...
Использование активных фазированных антенных решеток (АФАР) дает возможность перераспределять информационную емкость системы связи сканированием независимых лучей с электронным управлением. Процесс создания АФАР представляет собой решение мно...
Для эффективного использования GaN-транзисторов в составе усилителя большой мощности на практике требуется точная модель эквивалентной схемы транзистора. Для комплексного исследования усилителя необходим анализ полной электрической схемы, содержащей ...
Исследование влияния межэлектродных емкостей HEMT-транзистора на частоту, коэффициент усиления мощности и КПД усилителя проводится с целью оптимизации его конструкции. Для количественной оценки увеличения максимальной частоты при уменьшении емкостей ...