Влияние емкостей HEMT-транзистора на основные параметры усилителей СВЧ

Исследование влияния межэлектродных емкостей HEMT-транзистора на частоту, коэффициент усиления мощности и КПД усилителя проводится с целью оптимизации его конструкции. Для количественной оценки увеличения максимальной частоты при уменьшении емкостей транзистора в работе проведено моделирование электрических схем усилителей на HEMT-транзисторе с использованием модели EEHEMT в программе Microwave Office. HEMT-транзистор выполнен на основе GaN с длиной затвора 0,25 мкм. Максимальная частота усилителя равна 59 ГГц. Показано, что уменьшение входной и проходной емкостей HEMT-транзистора на 20 % приводит к возрастанию максимальной частоты усилителя до 90 ГГц. Моделирование, проведенное на частоте 4 ГГц, продемонстрировало снижение входной мощности, поступающей на транзистор, примерно на 2 дБ. Это приводит к увеличению коэффициента усиления и КПД добавленной мощности усилителя. Установлено, что удаление диэлектрического слоя SiN между металлом затвора и слоем AlGaN приводит к уменьшению относительной диэлектрической проницаемости пространства между затвором и каналом транзистора с соответствующим уменьшением емкостей HEMT-транзистора с Т -образным затвором.
Мин Тхант Мьо
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Виталий Александрович Романюк
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Николай Владимирович Гуминов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться