Исследование влияния межэлектродных емкостей HEMT-транзистора на частоту, коэффициент усиления мощности и КПД усилителя проводится с целью оптимизации его конструкции. Для количественной оценки увеличения максимальной частоты при уменьшении емкостей транзистора в работе проведено моделирование электрических схем усилителей на HEMT-транзисторе с использованием модели EEHEMT в программе Microwave Office. HEMT-транзистор выполнен на основе GaN с длиной затвора 0,25 мкм. Максимальная частота усилителя равна 59 ГГц. Показано, что уменьшение входной и проходной емкостей HEMT-транзистора на 20 % приводит к возрастанию максимальной частоты усилителя до 90 ГГц. Моделирование, проведенное на частоте 4 ГГц, продемонстрировало снижение входной мощности, поступающей на транзистор, примерно на 2 дБ. Это приводит к увеличению коэффициента усиления и КПД добавленной мощности усилителя. Установлено, что удаление диэлектрического слоя SiN между металлом затвора и слоем AlGaN приводит к уменьшению относительной диэлектрической проницаемости пространства между затвором и каналом транзистора с соответствующим уменьшением емкостей HEMT-транзистора с Т -образным затвором.
Мин Тхант Мьо
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия