Латеральная рекристаллизация наноструктур аморфного кремния с использованием силицида никеля

Латеральная рекристаллизация наноструктур аморфного кремния с использованием силицида никеля

Метод металлостимулированной латеральной рекристаллизации является актуальной исследовательской задачей для создания ИС многоуровневой архитектуры, чувствительных элементов сенсоров, а также электронных микро- и наносистем. В работе представлен оптимизированный метод металлостимулированной латеральной рекристаллизации (Metal-Induced Lateral Crystallization, MILC) нанопроволочных структур из аморфного кремния с использованием силицида никеля. На основе данного метода изготовлены нанопроволочные n -канальные полевые транзисторы с окружным затвором - MILC GAA-транзисторы (Gate-All-Around). Аналогичные структуры созданы на основе монокристаллического кремния с использованием КНИ-подложек - КНИ GAA-транзисторы. Выполнен сравнительный анализ электрических характеристик полевых нанопроволочных GAA-транзисторов на основе рекристаллизованного и монокристаллического кремния. Показано, что электрофизические характеристики нанопроволочных MILC GAA-транзисторов сравнимы с характеристиками нанопроволочных КНИ GAA-транзисторов. Так, измеренная подвижность электронов в слабых полях для MILC GAA-транзистора составила 130 см/В·с, для КНИ GAA-транзистора - 200 см/В·с.
Светлана Олеговна Белостоцкая
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Евгений Васильевич Кузнецов
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Елена Николаевна Рыбачек
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Оксана Вадимовна Губанова
НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
Поделиться