Персоналии

Гончаров Виктор Анатольевич
доктор физико-математических наук, доцент, профессор кафедры высшей математики № 1 МИЭТ. Область научных интересов: вычислительная математика, математическое моделирование выращивания полупроводниковых кристаллов, исследование полос роста в кристаллах

Статьи автора

Построена модель процесса кристаллизации, объединяющая нестационарную задачу Стефана и классические представления о механизме концентрационного переохлаждения расплава. Эта модель совместно с системой уравнений Навье−Стокса для жидкости и уравнением теплопроводности для твердого тела применяется для численного решения задачи роста полупроводникового кристалла из расплава. Моделируется образование фундаментальных и технологических полос роста. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными.

  • Просмотров: 1185 | Комментариев : 0

Моделирование процесса кристаллизации основано на численном решении нестационарной задачи Стефана, которое представляет собой трудоемкую вычислительную процедуру. Предложен параллельный алгоритм решения задачи Стефана на временном слое, основанный на схеме расщепления по физическим процессам. Такой подход позволяет сократить длительность расчетов до 5 раз, что особенно важно при проведении параметрических исследований.

  • Просмотров: 1164 | Комментариев : 0

Моделируется процесс выращивания полупроводниковых кристаллов методом Бриджмена c учетом нестационарных воздействий, обусловленных технологическим оборудованием. Проводится сравнение величины микронеоднородности в кристалле с учетом и без учета особенностей многокомпонентности системы.

  • Просмотров: 1353 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru