Численное моделирование процесса кристаллизации полупроводников с использованием параллельных вычислений

Раздел находится в стадии актуализации

Моделирование процесса кристаллизации основано на численном решении нестационарной задачи Стефана, которое представляет собой трудоемкую вычислительную процедуру. Предложен параллельный алгоритм решения задачи Стефана на временном слое, основанный на схеме расщепления по физическим процессам. Такой подход позволяет сократить длительность расчетов до 5 раз, что особенно важно при проведении параметрических исследований.
Гончаров Виктор Анатольевич
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Балдина Надежда Александровна
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Дорошенко Елена Сергеевна
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Подкопаев Илья Викторович
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru