<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories/><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Численное моделирование процесса кристаллизации 
полупроводников с использованием параллельных 
вычислений</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Гончаров Виктор Анатольевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Гончаров</surname><given-names>Виктор Анатольевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Anatolevich</surname><given-names>Goncharov Viktor</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Goncharov Viktor Anatolevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Балдина Надежда Александровна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Балдина</surname><given-names>Надежда Александровна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovna</surname><given-names>Baldina Nadezhda</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Baldina Nadezhda Aleksandrovna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Дорошенко Елена Сергеевна </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Дорошенко</surname><given-names>Елена Сергеевна </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Sergeevna</surname><given-names>Doroshenko Elena</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Doroshenko Elena Sergeevna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Подкопаев Илья Викторович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Подкопаев</surname><given-names>Илья Викторович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Viktorovich</surname><given-names>Podkopaev Ilya</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Podkopaev Ilya Viktorovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники (технический университет)</aff></contrib-group><fpage>49</fpage><lpage>57</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/86-_2010/chislennoe_modelirovanie_protsessa_kristallizatsii_poluprovodnikov_s_ispolzovaniem_parallelnykh_vych/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The mathematical simulation of crystallization process is based on numerical solution of the non-stationary Stephan problem, which is a labor-consuming procedure. A parallel algorithm for the Stephen problem solution within one time layer based on the physical processes decomposition scheme has been proposed. Such approach allows up to 5 times speedup, which is especially important for multi-parameterized simulation and research.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Моделирование процесса кристаллизации основано на численном решении нестационарной задачи Стефана, которое представляет собой трудоемкую вычислительную процедуру. Предложен параллельный алгоритм решения задачи Стефана на временном слое, основанный на схеме расщепления по физическим процессам. Такой подход позволяет сократить длительность расчетов до 5 раз, что особенно важно при проведении параметрических исследований.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>параллельные алгоритмы</kwd><kwd>задача Стефана</kwd><kwd>гидродинамика</kwd><kwd>моделирование кристаллизации</kwd><kwd>полупроводники</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
