Построена модель процесса кристаллизации, объединяющая нестационарную задачу Стефана и классические представления о механизме концентрационного переохлаждения расплава. Эта модель совместно с системой уравнений Навье−Стокса для жидкости и уравнением теплопроводности для твердого тела применяется для численного решения задачи роста полупроводникового кристалла из расплава. Моделируется образование фундаментальных и технологических полос роста. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными.