Персоналии

При производстве систем на кристалле с использованием современных технологий с высокой интеграцией элементов возникают проблемы тестирования и ремонта встроенной памяти. В работе предложена оригинальная архитектура отказоустойчивой полупроводниковой памяти с заданной кратностью выявления отказов. При этом резервируется не все устройство целиком, а только наиболее подверженные отказам элементы, что снижает его массу и стоимость. Выполнена верификация проекта отказоустойчивой памяти с автоматическим восстановлением работоспособности при четырехкратных отказах. Проект отказоустойчивой памяти имплементирован в микросхему M2S010-TQ144 системы на кристалле SF2-Junior-KIT в интегрированной среде разработки Microsemi Libero SoC v11.8. Предлагаемая архитектура отказоустойчивой памяти обеспечивает автоматическое восстановление работоспособности при многократных отказах элементов на борту системы управления космическим аппаратом с помощью устройства встроенного самовосстановления без применения плавких перемычек и участия обслуживающего персонала. В полупроводниковой памяти при обнаружении отказов выполняется автоматическая замена разрядов данных основного массива запоминающих ячеек, в которых произошли отказы, на данные, поступающие с выходов запасного массива запоминающих ячеек. Это повышает надежность при многократном выполнении циклов восстановления работоспособности.

• Просмотров: 1337 | Комментариев : 0

В современных цифровых системах на кристалле объем встроенной памяти увеличивается. Она занимает значительную площадь на кристалле, что приводит к новым дефектам изготовления и снижает процент выхода годных систем. В работе предложена архитектура встроенных средств саморемонта, обеспечивающая восстановление работоспособности оперативной памяти системы на кристалле при многократных отказах за счет реконфигурации основной и резервной памяти. Рассмотрена микросхема оперативной памяти системы на кристалле, содержащая основную и резервную память, а также встроенные средства самотестирования и саморемонта. Выполнена верификация проекта встроенных средств саморемонта оперативной памяти с автоматическим восстановлением работоспособности при четырехкратных отказах. Показано, что данное техническое решение уменьшает массу изделия по сравнению с устройствами с мажоритарным резервированием, так как резервируется не вся память, а только основные компоненты, наиболее подверженные отказам. Восстановление работоспособного состояния памяти цифровой системы на кристалле выполнено в автоматическом режиме без участия персонала. Встроенные средства самотестирования и саморемонта оперативной памяти могут применяться в цифровых системах промышленного и специального назначения, в том числе в космических системах с длительным сроком активного существования.

• Просмотров: 764 | Комментариев : 0

Схема синхронизации при вводе-выводе играет важную роль с целью достижения максимальной скорости и достоверности передачи данных при функционировании памяти. В работе представлена архитектура интерфейса устройства тестового диагностирования синхронной памяти с двойной скоростью передачи данных (DDR SDRAM). Показано, что предлагаемые компоненты интерфейса обеспечивают формирование двунаправленного синхросигнала для стробирования записываемых и считываемых данных при выполнении тестового диагностирования микросхем и устройств памяти DDR SDRAM. По сравнению с традиционными методами предлагаемые компоненты интерфейса выполнены на интегральных электронных элементах, что позволяет уменьшить их габариты и снизить энергопотребление. Установлено, что при применении многофазной системы синхронизации для реализации интерфейса можно исключить использование линий задержки, недостатками которых являются большие габаритные размеры и сложность изменения времени задержки. Рассмотренные компоненты интерфейса предназначены для применения в устройствах тестового диагностирования, имеющих мультипроцессорную структуру, что способствует повышению быстродействия формирования тестовых воздействий и эталонных реакций. Выполненное функциональное моделирование и отладка формирователей стробирующих сигналов подтверждают осуществимость конструкций. Предлагаемый интерфейс позволяет выполнять тестовое диагностирование современных быстродействующих микросхем и модулей полупроводниковой памяти на рабочей частоте, в связи с чем повышается уровень достоверности полученных результатов. Компоненты интерфейса могут применяться при производстве средств тестового диагностирования современных быстродействующих запоминающих устройств.

• Просмотров: 1073 | Комментариев : 0