Рассмотрены проблемы анализа надежности цифровых КМОП СБИС, возникающие при переходе на производство СБИС с нанометровыми проектными нормами. Проанализированы методы моделирования одного из основных эффектов деградации параметров ИС – температурной нестабильности при отрицательном смещении (NВТI-эффект). Предложена модель деградации порогового напряжения р-МОП-транзистора с учетом влияния NВТI-эффекта, а также алгоритм распространения вероятности сигнала по схеме для повышения точности при оценке деградации. На основе полученной модели проведена оценка изменения временных параметров стандартных цифровых элементов. Разработан маршрут статического временного анализа с учетом чувствительностей временных параметров к указанным изменениям пороговых напряжений транзисторов.
- Просмотров: 490 | Комментариев : 0
Рассмотрены проблемы логического и временного анализа, возникающие на этапах проектирования и оптимизации сложно-функциональных блоков СБИС. Предложен новый метод логико-временного моделирования КМОП-схем на основе интервальных оценок, обеспечивающий интеграцию двух противоположных подходов к решению задачи анализа быстродействия - анализа критических путей и моделирования тестовых последовательностей. Выбор интервального подхода обусловлен существенным возрастанием удельного веса вариаций параметров нанометровых элементов в расчете быстродействия.
- Просмотров: 1252 | Комментариев : 0
Рассмотрены проблемы статистического моделирования сложных функциональных блоков. Проанализированы методы ускорения статистического анализа. Предложен метод, позволяющий существенно сократить вычислительные затраты на статистическое моделирование сложных функциональных блоков, основанный на применении моделей функциональных параметров схемы, вычисляемых в виде квадратичных форм с матрицей 1-го ранга. Приведены результаты сравнительного анализа использования линейной и квадратичной регрессий на этапе формирования моделей функциональных параметров сложных функциональных блоков.
- Просмотров: 1075 | Комментариев : 0
Рассмотрены проблемы моделирования и характеризации библиотек стандартных элементов СБИС, проектируемых на базе полупроводниковых КМОП-технологий глубоко-субмикронного и нанометрового уровня. Проанализированы методы ускорения процесса характеризации, обеспечивающего идентификацию параметров макромоделей логических элементов при многократном моделировании элементов на схемотехническом уровне для различных вариантов входных воздействий и при различных значениях технологических параметров и режимов работы схем. Предложены алгоритмы построения сетки характеризации, направленные на снижение вычислительных затрат с обеспечением требуемой точности макромоделей. Приведены результаты сравнительного анализа различных вариантов предложенных алгоритмов.
- Просмотров: 1256 | Комментариев : 0