Персоналии

Герасименко Николай Николаевич
доктор физико-математических наук, профессор, начальник лаборатории радиационных методов технологии и анализа МИЭТ, ведущий научный сотрудник лаборатории рентгенооптических методов диагностики наноструктур ФИАН (г. Москва). Область научных интересов: ионная имплантация в полупроводники, процессы формирования структур (самоорганизация) в твердых телах при облучении

Статьи автора

Исследованы изменения структуры и фазового состава монооксида кремния в реакции диспропорционирования при высокой температуре с образованием фазы нанокристаллического кремния. Порошок нанокремния после отделения от оксидов кремния исследован методами порошковой дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновского излучения. Установлено, что при оптимальных условиях термообработки монооксида кремния полученный порошок содержит частицы нанокремния размером 17-20 нм в объемной доле 40%.

  • Просмотров: 1308 | Комментариев : 0

Разработаны технологический процесс получения наночастиц кремния из монооксида кремния, позволяющий управлять размерами частиц в диапазоне 2-10 нм, а также методы нанесения покрытий из нанокремния на солнечные элементы. Исследовано влияние таких покрытий на эффективность солнечных элементов. Показано, что пленки из нанокремния характеризуются хорошими просветляющими и пассивирующими свойствами и могут успешно использоваться в технологии изготовления солнечных элементов.

  • Просмотров: 1610 | Комментариев : 0

Процесс контроля технологической операции травления щелевой изоляции применяется в технологическом цикле производства КМОП-изделий. Для повышения оперативности и информативности этого контрольного процесса может быть применен метод оптической скаттерометрии, позволяющий заменить сразу несколько использовавшихся ранее методов. С помощью размерной схемы, учитывающей реальные особенности процедуры, описан процесс травления щелевой изоляции. Представлены комбинированные методы контроля процесса щелевой изоляции. Исследованы границы применимости оптической скаттерометрии и рассмотрены методы, которые можно использовать вне этих границ, в частности в диапазоне менее ~20 нм. Разработанная методика позволяет контролировать непосредственно в технологическом цикле не только линейный размер, но и глубину канавки травления и наклон ее стенок, которые ранее не контролировались. Контроль этих параметров в технологическом цикле снижает издержки производства и повышает надежность интегральных схем. Процесс опробован на примере технологии 180 нм, но обсуждаются возможности применения процесса для меньших проектных норм.

  • Просмотров: 2368 | Комментариев : 0

Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. Рассмотрены механизмы подавления оптической связи и показана степень влияния каждого из них. Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. Показана принципиальная возможность снижения оптической связи между ячейками с 20-40 % до 0,1-0,7 % в диапазоне перенапряжения 2-5 В соответственно.

  • Просмотров: 1468 | Комментариев : 0

Проанализировано влияние величины диапазона поиска решений на эффективность работы генетического алгоритма при расшифровке рентгеновских рефлектограмм. Проведена оптимизация поискового алгоритма с учетом полученных результатов.

  • Просмотров: 1242 | Комментариев : 0

Представлены результаты комплексного исследования параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti с помощью методов относительной рентгеновской рефлектометрии и диффузного рассеяния рентгеновского излучения, реализованных на базе двухволновой рентгенооптической схемы измерений. Показано, что данная схема в рамках одного измерения обеспечивает исследование двух различных областей диффузного рассеяния, что повышает корректность и однозначность проведенного анализа. Рассмотренный комплекс методов позволяет разрешить неоднозначность типа плотность/шероховатость при решении обратной задачи рефлектометрии и рассчитать параметры скрытых слоев в исследованных структурах.

  • Просмотров: 1445 | Комментариев : 0

Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. Описаны ключевые параметры, влияющие на технологический процесс, и указаны допустимые отклонения данных параметров от номинала.

  • Просмотров: 1380 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru